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柔性顯示基板材料(PI)

柔性顯示基板材料(PI)

柔性顯示基板材料(PI),是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和集成電路的電子材料。
柔性顯示基板材料(PI)
產品描述
參數

 半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料

  是(shi)一類具有(you)半導體性(xing)能(導電(dian)能(neng)力介(jie)於(yu)導體與(yu)絕(jue)緣體之(zhi)間(jian),電阻(zu)率(lv)約在(zai)1mΩ·cm~1GΩ·cm範(fan)圍(wei)內(nei))、可用(yong)來製(zhi)作半導體器件(jian)和(he)集成電路(lu)的(de)電子(zi)材料。

  自然界(jie)的物(wu)質、材料按(an)導電能力大小(xiao)可分為導體、半導體和絕緣(yuan)體三(san)大(da)類。半導體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍(上限按謝嘉(jia)奎(kui)《電子線路》取值(zhi),還(hai)有取(qu)其1/10或(huo)10倍(bei)的;因(yin)角標不(bu)可用,暫用當(dang)前(qian)描(miao)述)。 半導體電導率隨溫度(du)的升高而升高,這與金(jin)屬導體恰好相反(fan)。

  凡具(ju)有上述(shu)兩種特(te)征的材料都(dou)可歸(gui)入(ru)半導體材料的範圍。反映(ying)半導體

  內在基(ji)本(ben)性質(zhi)的卻(que)是各(ge)種外(wai)界因素如光(guang)、熱、磁、電等(deng)作(zuo)用於半導體而(er)引起(qi)的物理效應(ying)和現象(xiang),這些可(ke)統稱為(wei)半導體材料的半導體性質。構(gou)成(cheng)固(gu)態(tai)電子器(qi)件的基體材料絕大多(duo)數是半導體,正(zheng)是這(zhe)些(xie)半導體材料(liao)的各種半導體性質賦(fu)予(yu)各種(zhong)不同類型半導體器件以不同的功能和特性。半導體的基本化學特征(zheng)在於原子間存在飽和的共(gong)價(jia)鍵。作為共價鍵特征的典型(xing)是在晶(jing)格結構上(shang)表現為四麵體結構,所(suo)以(yi)典(dian)型的半導體材料具有金剛石或閃鋅(xin)礦(kuang)(ZnS)的結構。

  由(you)於地球(qiu)的礦藏多半是化合(he)物,所以早(zao)得到利用的半導體材料都是化合物,例(li)如(ru)方(fang)鉛礦(PbS)很早用於無線電檢波,氧(yang)化(hua)亞(ya)銅(Cu2O)用作固體整流(liu)器,閃鋅礦(ZnS)是熟(shu)知的固體發(fa)光材料,碳化矽(xi)(SiC)的整流檢波(bo)作用也(ye)較(jiao)早被(bei)利用。硒(xi)(Se)是早發現並(bing)被利用的元素(su)半導體,曾(ceng)是固體整流器和光電池的重要材料。元(yuan)素半導體鍺(Ge)放大作用的發現開辟了半導體曆史(shi)新的一頁(ye),從(cong)此(ci)電子設(she)備開(kai)始實現晶體管(guan)化。中(zhong)國的半導體研究和生產是從1957年(nian)製備出高(gao)純(chun)度(99.999999%~99.9999999%) 的鍺(duo)開始的。采(cai)用元素半導體矽(Si)以後,不僅使(shi)晶體管的類型和品種增(zeng)加、性能提高,而且迎(ying)來了大規(gui)模和超大規模集(ji)成電路的時(shi)代。以砷化镓(GaAs)為代表(biao)的Ⅲ-Ⅴ族化合物的發現(xian)促(cu)進了(le)微波器件和光電器件的迅速(su)發展。

關鍵詞:
半導體
材料
cm
器件
利用
結構
特征
元素
具有
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下一個

相(xiang)關(guan)產(chan)品(pin)

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