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集成電路CMP用拋光墊

集成電路CMP用拋光墊

集成電路CMP用拋光墊,自然界的物質、材料按導電能力大小可分為導體、半導體和絕緣體三大類。半導體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,還有取其1/10或10倍的;因角標不可用,暫用當前描述)。 半導體電導率隨溫度的升高而升高,這與金屬導體恰好相反。
集成電路CMP用拋光墊
產品描述
參數

 半導體(ti)材料(liao)

  是一類具有(you)半(ban)導體性能(neng)(導(dao)電能力(li)介於(yu)導體與(yu)絕緣(yuan)體之間,電(dian)阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍內)、可(ke)用(yong)來(lai)製作(zuo)半導體器件(jian)和集成(cheng)電路的電子材料。

  自然界(jie)的物(wu)質、材料按導電能力大(da)小可分(fen)為導體、半導體和(he)絕緣體三大類(lei)。半導體的(de)電阻(zu)率在(zai)1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍(上限(xian)按(an)謝嘉(jia)奎《電子(zi)線路》取值(zhi),還(hai)有取(qu)其(qi)1/10或(huo)10倍(bei)的;因角標不可用,暫(zan)用當(dang)前(qian)描(miao)述(shu))。 半導體電導率隨溫度(du)的升(sheng)高而(er)升高(gao),這(zhe)與金屬導體恰(qia)好相反(fan)。

  凡具有上述兩種(zhong)特(te)征(zheng)的材(cai)料都(dou)可歸(gui)入半導體材料的範(fan)圍(wei)。反映(ying)半導體

  內(nei)在基本(ben)性質(zhi)的卻(que)是(shi)各種外界因素如(ru)光(guang)、熱(re)、磁、電等作用於半導體而引(yin)起的物理(li)效應和現象,這些可統稱為(wei)半導體材料的半導體性(xing)質。構成固態(tai)電子器(qi)件的基(ji)體材料絕大多數是半導體,正是這些(xie)半導體材料的各(ge)種半導體性質賦(fu)予(yu)各種不(bu)同(tong)類型(xing)半導體器件以不同的功能和特性。半導體的基本化學(xue)特征在於原子間(jian)存(cun)在飽和的共價(jia)鍵。作為共價鍵特征的典型是在晶(jing)格結構上(shang)表現(xian)為四麵體結構,所以典型的半導體材料具(ju)有金(jin)剛石(shi)或閃鋅礦(ZnS)的結構。

  由於地球的礦(kuang)藏(cang)多(duo)半是化(hua)合(he)物,所(suo)以早(zao)得到利(li)用的半導體材料都是化合物,例(li)如方鉛礦(PbS)很早用於無(wu)線電檢波(bo),氧化亞(ya)銅(tong)(Cu2O)用作固體整(zheng)流(liu)器,閃(shan)鋅礦(ZnS)是熟(shu)知的固體發(fa)光材料,碳化矽(xi)(SiC)的整流檢波作用也較(jiao)早被(bei)利用。硒(Se)是早發現並(bing)被利用的元(yuan)素(su)半導體,曾(ceng)是固體整流器和光電池的重(zhong)要(yao)材料。元素半導體鍺(Ge)放(fang)大作用的發現開辟了(le)半導體曆史(shi)新的一頁(ye),從此電子設備(bei)開(kai)始(shi)實現晶體管化。中國的半導體研究和生(sheng)產是從(cong)1957年(nian)製(zhi)備出(chu)高純(chun)度(99.999999%~99.9999999%) 的鍺開始的。采用元素半導體矽(Si)以後(hou),不僅使晶體管(guan)的類型和品(pin)種增加、性能提高,而且(qie)迎來了大規模和超大規(gui)模(mo)集成電路(lu)的時代(dai)。以(yi)砷化镓(jia)(GaAs)為代表(biao)的Ⅲ-Ⅴ族(zu)化合物的發現促進(jin)了微波器件和光電器件的迅速發展。

關鍵詞:
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半導體
材料
cm
器件
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